Det amerikanske firma Crocus Technology har oplyst, at de har lavet en ny type magnetisk hukommelse, de kalder Magnetic-Logic-Unit (MLU), der er baseret på Crocus’ Thermally Assisted Switching (TAS) teknologi.
Med den nuværende teknologi, der bruges til magnetisk hukommelse, er der et referencelag med en fastsat magnetisering og et storagelag, der kan magnetiseres i samme retning som referencelaget, eller i den modsatte retning, hvilket fungerer som et 1 eller 0.
Med MLU kan referencelaget magnetiseres på tre forskellige måder, fikseret, flydende og drevet magnetisme, hvilket henholdsvis bruges til at lave NOR, NAND og XOR funktionerne.
Dette gør det muligt at lave NAND-MRAM, hvilket indtil nu kun var noget man fandt ved flash-baseret RAM. MLU RAM kan ifølge Crocus laves med en tæthed, der er to til fire gange højere end almindelig magnetisk hukommelse.